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壓敏電壓和電阻器厚度的關系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當晶粒大小一定時，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

由于壓敏電阻型號太多，篇幅有限，恕不一一呈現，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯系，謝謝！

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ＺｎＯ　壓敏電阻的微觀結構分析發現，形成的四個主要 成分是　ＺｎＯ、尖晶石、焦綠石和一些富　Ｂｉ　相（圖　３）。圖 中也指明了組分存在的部位，還存在一些用現有技術尚不 易檢測出來的其它次要相。 ＺｎＯ　壓敏電阻的典型晶粒尺寸在１５和２０μｍ　之間， 并且也總是伴有雙晶。ＳｉＯ２的存在抑制晶粒生長，而　ＴｉＯ２　 和　ＢａＯ　則加速晶粒長大。尖晶石和焦綠石相對晶粒長大有 抑制作用。焦綠石相在低溫時起作用，而尖晶石相在高溫 時有利。當用鹽酸浸蝕晶粒時，中間相呈現出在電性上絕 緣的三維網絡。 燒結形成的　ＺｎＯ　晶粒是　ＺｎＯ　壓敏電阻的基本構成單純　ＺｎＯ　是具有線性　Ｉ－Ｕ　特性的非化學計量　ｎ　型半導 體。進入　 ＺｎＯ　 中的各種添加物使其具有非線性。這些氧 化物中主要是　 Ｂｉ ２Ｏ３。這些氧化物的引入，在晶粒和晶粒 邊界處形成原子缺陷，施主或類施主缺陷支配著耗盡層， 而受主和類受主缺陷支配著晶粒邊界狀態。相關的缺陷類 型是鋅空位（Ｖ Ｚｎ＇、Ｖ Ｚｎ＇＇）、氧空位（Ｖ ｏ 、Ｖ ｏ ）、填隙鋅

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